| ■ 영문 제목 : Global InGaAs Avalanche Photodiodes (InGaAs-APDs) Market 2025 | |
 | ■ 상품코드 : MR-GIFR27666 ■ 발행일 : 2025년8월 ■ 보고서 형태 : 영문 PDF ■ 납품 방식 : E메일 (2~3 영업일) ■ 조사대상 지역 : 글로벌, 주요 국가 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
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| InGaAs 아발란치 포토다이오드(InGaAs-APD)는 인듐(Indium), 갈륨(Gallium), 비소(Arsenide)로 구성된 반도체 소자로, 특히 적외선 영역에서 높은 감도를 갖는 광전 소자입니다. 이 장치는 아발란치 효과를 이용하여 낮은 광 신호를 증폭할 수 있는 기능을 가지고 있습니다. InGaAs-APD는 일반적으로 1.0μm에서 1.7μm의 파장 범위에서 작동하며, 이는 통신, 센서, 그리고 이미징 시스템 등 다양한 응용 분야에서 매우 유용합니다. InGaAs-APD의 주요 특성 중 하나는 높은 전기적 감도입니다. 이러한 감도는 낮은 광 신호에서도 신뢰성 있는 결과를 제공할 수 있게 해줍니다. 또한, 이 포토다이오드는 고속 응답성과 넓은 동작 범위를 가지고 있어, 고속 통신 시스템에 적합합니다. 전반적으로 InGaAs-APD는 낮은 노이즈 특성을 가지고 있어 민감한 감지 작업에 적합한 장치입니다. InGaAs-APD는 크게 두 가지 종류로 나눌 수 있습니다. 첫 번째는 단일 광자 감지기(single-photon detector)로, 극히 낮은 광 신호를 검출할 수 있는 능력을 가지고 있습니다. 두 번째는 고속 데이터 통신용으로 설계된 APD로, 이들은 대역폭이 넓고 빠른 응답 속도를 제공합니다. 이러한 종류의 APD는 주로 광통신 시스템에서 사용됩니다. InGaAs-APD는 다양한 용도로 활용됩니다. 주요 용도 중 하나는 광섬유 통신 시스템에서의 신호 수신입니다. 이 외에도, LiDAR 시스템, 의료 이미징, 및 환경 모니터링과 같은 분야에서도 널리 사용됩니다. 또한, 이 장치는 우주 탐사 및 군사 응용에서도 중요한 역할을 수행하고 있습니다. InGaAs-APD는 뛰어난 성능과 다양성을 갖춘 장치로, 고속 통신 및 정밀 검출이 필요한 다양한 분야에서 필수적인 구성 요소로 자리 잡고 있습니다. 본 조사 보고서는 글로벌 InGaAs 아발란치 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장 (InGaAs Avalanche Photodiodes (InGaAs-APDs) Market) 현황 및 미래 전망을 분석 정리했습니다. InGaAs 아발란치 포토다이오드 (InGaAs-APD)의 시장동향, 종류별(type) 시장규모 (1100~1700nm, 1000~1600nm), 용도별(application) 시장규모 (산업, 의료, 전자, 기타), 기업별 시장 점유율, 지역별 시장규모 및 예측, 관련 기업정보 등을 기재하고 있습니다. 기업은 Hamamatsu Photonics,OSI Optoelectronics,Albis Optoelectronics AG (Enablence),First Sensor,AMS Technologies AG,Luna Optoelectronics,Excelitas Technologies,Laser Components DG, Inc.,Kyosemi Corporation 등이 포함되어 있습니다. 주요지역은 북미, 미국, 캐나다, 멕시코, 유럽, 독일, 프랑스, 영국, 러시아, 아시아, 동남아시아, 중국, 한국, 일본, 인도, 브라질, 아르헨티나, 중동, 아프리카 등이 포함되어 있습니다. · 세계 시장 개요, 종류 구분, 용도 구분, 세계 시장규모 |
| ※본 조사보고서 [세계의 InGaAs 아발란치 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장 : 1100~1700nm, 1000~1600nm, 산업, 의료, 전자, 기타] (코드 : MR-GIFR27666) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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